标签: SK海力士 HBM DRAM AI芯片

  发布时间:2026-11-16   作者:玩站小弟   我要评论
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云梦级1月15日云梦级消息,近日有传闻爆料称,SK 海力士计划停产消费级标签存储器。对此,SK 海力士向媒体回应称,目前并未有探讨或规划退出消费者用产: 品事业的计划。综合此前报道,SK 海力士去年曝光的内部会议显示,大宗 DRAM 产能SK增长将变得十分有限,难以追上不断攀升的需求,或进一步加剧内存涨价的局面。

根据海力云梦级消息人士 BullsLab 分享的会议 PPT,海力士预测,除高带宽内存(H士 BM)和 SOCAMM 模块外,大宗 DRAM 在 2028 年以前的增长都会受到HB限制,这主要是因为主流内存厂商已将重心转向 AI 相关需求,分配给消费级市场的M 产能没有特别明显增长。

另据报道,SK海力士(SK Hynix)计划斥资130亿DR美元在韩国建造一座芯片封装厂,以应对人工智能芯片需求的激增。SK海力士周二表示AM,将斥资19万亿韩元在首尔以南的清州建造一座先进的AI芯片封装和测试工厂。该 A新工厂定于4月开工建设,预计2027年底完工,将增加SK海力士在韩国的芯片封I芯装产能。

该公司也在美国建设工厂。根据该公司发布的一份声明,在AI存储需求激增之际标签,SK海力士“正积极应对日益增长的HBM需求”。该公司表示,预计从2025年到: 2030年,HBM市场将以年均33%的速度增长。

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